Укр Eng

Адреса: кiмната 247, 1 корпусу
Телефон: (044) 236-21-49
e-mailaspirantura@kpi.ua
Приймальні години відділу аспірантури та докторантури: 9.00-10.00 та 14.00-17.00

Аспірантура і докторантура - форми підготовки науково-педагогічних та наукових кадрів вищої кваліфікації.

Аспірантура і докторантура відкривається при вищих навчальних закладах третього або четвертого рівнів акредитації і прирівняних до них закладах післядипломної освіти, у наукових установах, які мають висококваліфіковані науково-педагогічні та наукові кадри, сучасну науково-дослідну, експериментальну та матеріальну базу.

Підготовка в аспірантурі і докторантурі здійснюється:

  1. за рахунок:
    - коштів Державного бюджету України - за державним замовленням для роботи у державному секторі народного господарства;
    - коштів юридичних та фізичних осіб - на умовах контракту - для роботи у державному і недержавному секторах народного господарства;
  2. іноземців та осіб без громадянства на підставі:
    - міжнародних договорів України;
    - загальнодержавних програм;
    - договорів, укладених вищими навчальними закладами, науковими установами з юридичними та фізичними особами.

Програма вступних іспитів до аспірантури 

зі спеціальності
  „Фізика твердого тіла” (01.04.07)


1.


ІДЕАЛЬНІ КРИСТАЛІЧНІ СТРУКТУРИ

1.1.

Ідеальний кристал. Кристалічна гратка, базис, елементарна комірка, примітивна комірка, коміркаВігнера-Зейтца.

1.2.

Операції симетрії кристалічних структур. Трансляція, точкові операції симетрії, точкова група симетрії.

1.3.

Класифікація граток Браве та кристалічних структур. Сингонії.

1.4.

Індекси Міллера. Положення та позначення площин, напрямків та вузлів елементарної гратки в кристалі.

1.5.

Відбиття рентгенівських променів від атомних площин. Закон Брегга.

1.6.

Методи дослідження кристалічних структур. Використання електронів, нейтронів, рентгенівських променів для дослідження кристалів. Метод Лауе, метод обертання кристала, метод коливань, метод порошку.

1.7. 

Обернена гратка. Об’єм елементарної комірки. Перша зона Брілюена.

1.8.

Періодичний потенціал. Теорема Блоха. Граничні умови Борна–Кармана. Кількість дозволених станів.


2.

 
КОЛИВАННЯ ГРАТКИ

2.1.

Типи зв’язку в кристалах. Метали, іонні кристали, ковалентні кристали, молекулярні кристали. Класична теорія гармонічних коливань. Теплоємність класичного кристала. Закон Дюлонга–Пті. Пружні властивості кристалів.

2.2.

Фонони та коливання гратки. Спектр фононів. Теплоємність кристалів за різних температур. Моделі Ейнштейна та Дебая. Температура Дебая. Фактор Дебая-Уоллера.

2.3.

Фонони в металах. Закон дисперсії фононів. Експериментальне визначення закону дисперсії.

2.4.

Ангармонічні ефекти. Стала Грюнайзена. Теплопровідність гратки.


3.


ЕЛЕКТРОНИ В КРИСТАЛАХ

3.1. 

Електрон в періодичній кристалічній гратці. Вільний електронний газ Фермі. Поверхня Фермі.

3.2.

Методи розрахунку зонної структури. Наближення слабкого зв’язку. Енергетичні зони.

3.3.

Наближення сильного зв’язку для електронів. Функції Ваньє.

3.4.

Огляд додаткових методів розрахунку зонної структури (методів приєднаних плоских хвиль, метод ортогоналізованих плоских хвиль, метод псевдо потенціалу).

3.5.

Напівкласична теорія провідності в металах. Ефект Де-Гааза-Ван-Альфена. Визначення поверхні Фермі.


4.


НАПІВПРОВІДНИКОВІ КРИСТАЛИ

4.1.

Власна провідність напівпровідників. Концентрація власних носіїв.

4.2.

Домішкова провідність напівпровідників. Домішкові стани.

4.3.

Напівпровідникові прилади. Принцип дії. Область застосування.


5.


НАДПРОВІДНИКИ

5.1.

Феноменологія явища надпровідності. Рівняння Лондонів. Довжина когерентності.

5.2. 

Електрон-фононна взаємодія в надпровідниках. Ефект Джозефсона.


6.


МАГНІТНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ

6.1.

Обмінна взаємодія. Парамагнетизм атомних остовів. Формула Ланжевена.

6.2. 

Феромагнетизм. Антиферомагнетизм. Температура Кюрі. Температура Неєля.

6.3.

Магнетизм локалізованих моментів (гайзенбергівські магнетики).

6.4.

Магнетизм делокалізованих електронів.


7.


ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІЕЛЕКТРИКІВ

7.1.

Екситони. Слабо зв’язані та сильно зв’язані екситони.

7.2.

Фотопровідність. Залежність фотопровідності від потоку фотонів. Коефіцієнт підсилення.

7.3. 

Люмінесценція. Флюоресценція та фосфоресценція. Вплив активаторів на люмінесценцію.


8.


ФАЗОВІ ПЕРЕТВОРЕННЯ В ТВЕРДИХ ТІЛАХ

8.1.

Особливості теплоємності при фазових переходах. l–точка.

8.2.

Дифузійні фазові перетворення. Приклади.

8.3.

Структурні фазові перетворення: сегнетоелектричний, феромагнітний, тощо.

8.4. 

Мартенситні фазові перетворення.


9.


ДЕФЕКТИ В КРИСТАЛАХ

9.1.

Точкові дефекти – атоми заміщення, атоми проникнення, вакансії.

9.2.

Дислокації, двійникові границі, дефекти пакування. Вектор Бюргерса.

9.3.

Границі зерен з малим кутом разорієнтування. Модель Бюргерса.


10.


ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ МЕТОДИ ФІЗИКИ ТВЕРДОГО ТІЛА

10.1.

Дослідження структури кристалів методами рентгенографії та електронної мікроскопії.

10.2.

Дослідження магнітних структур і фононних спектрів методом нейтронографії.

10.3.

Оптичні методи досліджень твердих тіл (спектроскопія)